关于THB6064芯片应用注意事项

在使用THB6064H过程中，有以下几点需要注意

1、因其功率桥部分使用MOS管，在设计电路时可不需要另外加8个续流二极管（电流若是大于3.5A还是要加的，以降低芯片的功耗）。

2、FDT有三种模式，Vfdt<0.8V时为快衰减，1.1V<Vfdt<3.1V时为混合衰减，3.5V<Vfdt时为慢衰减。快、慢衰减时电流的走向见下图。具体调整方式：先选好2个OSC电容（即先确定衰减时间），再调整FDT电压，由低向高调，以电机运行平稳，噪音低、震动小时为佳。

3、芯片击穿的电压为55V（空载状态下），电机在运行时会产生的感应电动势，电感越大、速度越快产生的电动势越大。所以在选择电源时，需要把这考虑进去，推荐最高使用42V以下电源。

4、在四个电机输出端与地之间需接入电阻Rx，阻值视供电电压而定，VM/Rx在5mA左右即可。作用是减弱毛刺对芯片的损坏。

5、检测电阻最好选用0.25Ω以上。

6、在画PCB时，芯片周围的安全间距至少要15mil（0.3mm），在四个电机输出端和电源端尤其需要注意。

7、2脚的数字地与13、17脚的模拟地之间布线要尽量短，2脚的地线最好不要与别处相连。

8、在画芯片管脚的地线时要尽可能的粗。检测电阻和芯片之间的连线要短、粗，两者的地线端相连也要短粗。

9、在靠近24脚（VCC）、6、20脚（VM）管脚处各放置1个0.1uf的电容。

10、 DOWN的作用：当0.6S内没有脉冲输入（即CLK低于1.5Hz），DOWN输出低电平，通过相连的电阻将VREF的电压拉低，进而减小芯片输出电流。可通过减小这个电阻阻值而将锁定电流更进一步的降低。

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